Hybrid Power Filter
Hybrid active filter(SiC) is a new generation of active power filter (APF) designed with silicon carbide materials. Its dual-core design offers faster operation, lower losses, and higher device efficiency (>99 %). Ud over at dynamisk kompensere for harmoniske, kan APF-produkter også kompensere for reaktiv effekt ved at løse problemer med strømkvalitet såsom spændingsudsving og flimmer. APF-produkter anvender-avanceret--kontrolteknologi til fuldautomatisk kontrol, hvilket gør dem til det foretrukne valg for harmonisk eliminering.
Produktbeskrivelse
SiC Active Harmonic Filter er en næste-generations, fuldt digital harmonisk elimineringsenhed, der er udviklet i-hus af os. Sammenlignet med traditionel teknologi giver den klare fordele såsom hurtigere responstid, kompakt størrelse, forbedret funktionalitet, nem installation og vedligeholdelse og ligetil idriftsættelse. Det kan effektivt løse problemer med strømkvaliteten med lethed. APF kompenserer dynamisk for harmoniske og løser effektivt problemer som lav effektfaktor og trefasede ubalancer i strømkvaliteten.
Hovedstrømenheden anvender den næste-generations halvlederkomponent SiC Mosfet, som tilbyder en koblingsfrekvens på over 100 kHz, høj effekttæthed, lavt tab og høj effektivitet med en harmonisk filtreringshastighed på op til 97 %. Den understøtter flere kompensationstilstande, herunder harmoniske, reaktiv effekt og trefaset ubalance. PCBA'en er helt forseglet, hvilket sikrer beskyttelse mod støv, kondens og saltspray. Enheden tilbyder fleksible installationsmuligheder (skab-monteret eller væg-monteret), og vedligeholdelse er ligetil.
Produktegenskaber
Datablad
| Elektriske parametre | |
| Ledningsmetode | Tre-tre-tråd, tre-fire-leder |
| Driftsspænding | 380V/220V±20% |
| Driftsfrekvens | 50/60Hz, ±10 % |
| Produktspecifikationer | 30A, 50A, 75A, 100A,150A |
| Aktuelle transformer specifikationer | 50:5 ~ 20000:5, 50:1~20000:1 |
| Støj | ＜65dB |
| Tekniske funktioner | |
| Skift enheder | SiC Mosfet |
| Skiftefrekvens | >100 kHz |
| Metoder til varmeafledning | Intelligent luftkøling |
| Kontrol af varmeafledning | Adaptiv blæserhastighedsjustering |
| Beskyttelsesfunktioner | Udgangsoverstrømsbeskyttelse, udgangsstrømbegrænsende beskyttelse, over-temperaturbeskyttelse, DC-bus-overspændingsbeskyttelse, AC-indgangsunderspændingsbeskyttelse, AC-indgangsoverspændingsbeskyttelse, kontrolsystemfejlbeskyttelse, beskyttelse af hovedkredsløbskomponenter og frakoblingsbeskyttelse |
| Kompensationsydelse | |
| Harmonisk filtreringshastighed | ＞97% |
| Samlet effektivitet | Større end eller lig med 99 % |
| Aktivt strømtab | ＜1% |
| Harmonisk filtreringsområde | Harmonics fra 2. til 50. kan styres og konfigureres individuelt. |
| Samlet svartid | ＜5 ms |
| Resonansundertrykkelse | Aktiv hæmning |
| Skærmgrænseflade | |
| Skærm | 7-fods berøringsskærm i fuld farve |
| Sprog | Kinesisk, engelsk og sprog, der kan tilpasses. |
| Batteridisplay | Viser data inklusive forvrængningshastighed, effektfaktor, effekt, spænding og strøm. |
| Kommunikationsgrænseflade og protokoltype | RS485, TCP/IP, Modbus-protokoller og 4G langdistance-datatransmission. |
| Miljøforhold | |
| Driftstemperatur | -25 grader ~+50 grader |
| Relativ luftfugtighed | <95%, no condensation |
| Højde | <5000 meters (above 1000 meters, capacity decreases by 1% for every additional 100 meters) |
| Andre | |
| Beskyttelsesniveau | IP20-klassificering, andre klassificeringer tilgængelige efter anmodning. |
| Installationsmetode | Rack-montering, væg-montering, integrerede kabinetkonfigurationer. |
Q&A
Hvad er de vigtigste fordele ved siliciumcarbid (SiC)?
Siliciumcarbid er en halvleder med bred-båndgab med overlegne materialeegenskaber sammenlignet med silicium. For AHF oversættes dette til tre vigtige fordele, der direkte påvirker termisk styring:
1. Højere koblingsfrekvens:SiC MOSFET'er skifter meget hurtigere end IGBT'er. Dette giver mulighed for mere nøjagtig rekonstruktion af den anti-harmoniske strøm, hvilket forbedrer ydeevnen, især i højere harmoniske.
2. Lavere koblingstab:Dette har den største indflydelse på varmeafgivelsen. De hurtige koblingsegenskaber for SiC-enheder resulterer i mindre varme, der genereres pr. koblingsovergang.
3. Højere driftstemperatur:SiC-halvledere kan teoretisk fungere ved overgangstemperaturer op til 200 grader eller højere, mens den typiske driftstemperaturgrænse for silicium-IGBT'er er 150 grader. Dette giver en større sikkerhedsmargin.
Populære tags: hybrid power filter, Kina hybrid power filter producenter, leverandører, fabrik
Send forespørgsel
